تعیین چگالی بارهای سطحی میان – گاه
تعیین چگالی بارهای سطحی میان – گاه
در ساختارهای SiSiGeSi که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می¬یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می¬گیرد اگر لایه¬های مجاور با ناخالصی¬های نوع p آلاییده شده باشند حفره¬های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می¬روند و تشکیل گاز حفره¬ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می¬دهند اینگونه ساختارها را |
دسته بندی | فیزیک |
فرمت فایل | doc |
حجم فایل | 7486 کیلو بایت |
تعداد صفحات فایل | 196 |
به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصیهای یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصیهای یونیده کاهش و به تبع آن تحرکپذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش مییابد .چگالی سطحی گاز حفرهای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچهدار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفرهای قابل کنترل میباشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار میگیرند .در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده Si/SiGe/Siمیپردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفرهای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم . در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچهدار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده میکنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفرهای بر حسب ولتاژ دریچه توانستهایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4 ارزیابی کنیم
فصل اول
ساختارهای دورآلایید
مقدمه:
امروزه قطعات جدیدی در دست تهیهاند که از لایههای نازک متوالی نیمهرساناهای مختلف تشکیل می شوند . هر لایه دارای ضخامت مشخصی است که به دقت مورد کنترل قرار می گیرد و از مرتبه 10 نانومتر است . اینها ساختارهای ناهمگون نامیده می شوند . خواص الکترونی لایههای بسیار نازک را می توان با بررسی سادهای که برخی از اصول اساسی فیزیک کوانتومی را نشان می دهد به دست آورد [31] .
در این فصل ابتدا به بررسی خواص نیمهرسانا می پردازیم سپس با نیمهرساناهای سیلیکان و ژرمانیوم آشنا می شویم و بعد از آن انواع روشهای رشد رونشستی و ساختارهای ناهمگون را مورد بررسی قرار می دهیم و همچنین ساختارهای دورآلاییده را بررسی می کنیم و در آخر نیز به بررسی کاربرد ساختارهای دورآلاییده و ترانزیستورهای اثر میدانی می پردازیم.
1-1نیمهرسانا:
در مدل الکترون مستقل الکترونهای نوار کاملاً پر هیچ جریانی را حمل نمیکنند این یک روش اساسی برای تشخیص عایقها و فلزات از هم است . در حالت زمینه یک عایق تمام نوارها یا کاملاً پر یا کاملاً خالی هستند اما در حالت زمینه یک فلز حداقل یک نوار به طور جزئی پر است . روش دیگر تشخیص عایقها و فلزات بحث گاف انرژی است گاف انرژی یعنی فاصله بین بالاترین نوار پر و پایینترین نوار خالی .
یک جامد با یک گاف انرژی در عایق خواهد بود. در نتیجه با گرم کردن عایق همچنانکه دمای آن افزایش مییابد بعضی از الکترونها به طور گرمایی تحریک شده و از گاف انرژی به سمت پایینترین نوار غیر اشغال گذار میکنند . جای خالی الکترونها در نوار ظرفیت را حفره مینامند این حفرهها ماهیتی مانند بار مثبت دارند در نتیجه در روند رسانش هم الکترونها و هم حفرهها شرکت میکنند . الکترونهای برانگیخته شده در پایینترین قسمت نوار رسانش قرار میگیرند در صورتیکه حفرهها در بالاترین قسمت نوار ظرفیت واقع میشوند .
جامداتی که در عایق بوده اما دارای گاف انرژی به اندازهای هستند که برانگیزش گرمایی منجر به مشاهده رسانشی در شود به عنوان نیمهرسانا شناخته میشود .
سادهترین عناصر نیمه رسانا از گروه چهارم جدول تناوبی هستند که به آنها نیمهرساناهای تک عنصری میگویند سیلیکون و ژرمانیوم دو عنصر مهم نیمهرساناها هستند . علاوه بر عناصر نیمهرسانا ترکیبات گوناگون نیمهرسانا هم وجود دارد . GaAsیک نمونه نیمهرساناهای است که از ترکیب عناصر گروه (Ga) و گرو(As) بدست آمدهاند و در ساختار زینک بلند متبلور میشوند . همچنین بلور نیمهرسانا از عناصر گروه و هم بوجود میآید که میتواند ساختار زینکبلند داشته باشد و به عنوان نیمهرساناهای قطبی شناخته شدهاند [1].
1-2 نیمهرسانای با گذار مستقیم و غیر مستقیم:
هرگاه کمینه نوار رسانش و بیشینه نوار ظرفیت یک نیمهرسانا در یک نقطه فضایk قرار بگیرند به چنین نیمهرسانایی نیمه رسانای با گذار مستقیم میگویند.
اما اگر کمینه نوار رسانش و بیشینه نوار ظرفیت یک نیمهرسانا در یک نقطه فضای k قرار نگیرند به چنین نیمهرسانایی نیمهرسانای با گذار غیر مستقیم میگوییم.
- فایل فلش فارسی G750-T00 (رام فارسی G750-T00)
- فایل فلش پرستیژیو PMT3377_Wi(رام رسمی Prestigio MultiPad PMT3377_Wi)
- فایل فلش Munchkinz SC-776KT (رام رسمی تبلت Supersonic SC-776KT با مشخصه برد IDIG...
- فایل فلش پیرگاردین PC704 بدون مشکل دوربین وتاچ(T730-MAINBOARD-V6.2)
- فایل فلش فارسی Onda v971 (رام فارسی Onda v971 به همراه اموزش فلش و انبریک)
- سرویس منوال چاپگر hp 1200
- سرویس منوال hp_laserjet_m1522_mfp
- رام تست شده T900-Mainborad-V2.0 )T900-Mainborad-V2.0)
- فایل فلش فارسی B1-720(رام فارسی B1-720)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش IRON 2 MAN (مشخصه YKQK-RM3026-V2.0)
- فایل فلش PAP4055DUO (رام PAP4055DUO)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PAP4300DUO(رام PAP4300DUO)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PMT3038 3G (رام PMT3038 3G )مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PMT5018 3G (رام PMT5018 3G )مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PMT3009_wi (رام PMT3009_wi) قابل رایت با فلشر
- فایل فلش PMP7170B3G (رام PMP7170B3G)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PMT3017_wi (رام PMT3017_wi)مخصوص فلشر
- فایل فلش PMP7380D3G (رام PMP7380D3G)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش پیرگاردین P10 (رام پیرگاردین P10)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PMP5670C (رام PMP5670C)مخصوص فلشر
- فایل فلش فارسی G620-L72 (رام فارسی G620-L72)تست شده و بدون مشکل
- فایل فلش Cosmos V811 (رام Cosmos V811)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PAP4505DUO (رام PAP4505DUO)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PMP3077C3G (رام PMP3077C3G)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PMT30473G (رام PMT30473G)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PMT30213G (رام PMT30213G)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PMT30113G (رام PMT30113G)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PMT30313G (رام PMT30313G )مخصوص فلش تولز
- دانگرید وحل مشکل وای فای YT2-830
- دانگرید و حل مشکل وای فای YT2-1050
- دانگرید و حل مشکل وای فای YT2-1380
- فایل فلش فارسی YT2-830LC اندروید 5.0.1 بدون مشکل وای فای
- فایل فلش PMT5777_3G (رام PMT5777_3G)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش Ccit M3 (رام Ccit M3)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش Ccit S5 (رام Ccit S5)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش Ccit A501 (رام Ccit A501)مخصوص فلش تولز
- حل مشکل K012 (حل مشکل وای فای K012) ترمیم بوت K012 تضمینی
- فایل فلش +p2000 (رام +p2000) قابل رایت با فلش تولز
- حل مشکل شارژ کاذب G750 (تست شده )
- فایل فلش PMT3037_3G (رام PMT3037_3G)مخصوص فلش تولز
- اموزش فارسی سازی 4X (فارسی سازی Che2-L11) به صورت پایدار و بدون نیاز به انلاک بو...
- فایل فلش S-COLOR S-V1 (رام S-COLOR S-V1) مخصوص فلش تولز
- فایل فلش GRight VIEW X X1 (رام GRight VIEW X X1)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش PMT7287_3G (رام PMT7287_3G)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش Gmango P200 (رام Gmango P200)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش ibis I600 (رام ibis I600)مخصوص فلش تولز
- فایل فلش فارسی N900v (رام N900v)اندروید 5.0.1
- حل مشکل اکانت گوگل G935F frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل J510H frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل N915V frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل N915A frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل G925F frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل G925P frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل G920F frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل G920T frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل G900V frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل G920A frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل G925A frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل G928A frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل A800I frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل G935FD frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل G930F frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل A800IZ frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل اکانت گوگل Huawei Honor 5X بدون نیاز به باکس
- حل مشکل اکانت گوگل Huawei Mate S بدون نیاز به باکس
- حل مشکل اکانت گوگل G930FD frp بدون باکس وخاموشی
- حل مشکل خاموشی و صفحه ابی HTC Desire
- ۹۵/۰۷/۲۲